刘明(中国科学院院士、发展中国家科学院院士)

刘明，女，1964年4月出生于丰城市，微电子科学与技术专家，中国科学院院士、发展中国家科学院院士，中国科学院微电子研究所研究员、博士生导师，微电子器件与集成技术重点实验室主任，中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长。

刘明长期致力于微电子科学技术领域的研究，在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统性和创造性的工作。她的代表性成果包括建立了阻变存储器（RRAM）物理模型，提出并实现高性能RRAM和集成的基础理论和关键技术方法。她发表的论文被SCI收录250多篇，SCI他引超过2800次，6篇论文入选ESI高被引论文榜，两项工作列入2013年ITRS（国际半导体发展路线图）、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。在本领域重要国际会议做邀请报告30多次，授权发明专利180件（含美国授权专利7件），主要专利转让/许可到多家重要集成电路企业。

刘明先后获得国家技术发明二等奖3项、国家科技进步二等奖1项、中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖、北京市科学技术一等奖2项、北京市科学技术二等奖2项、中国真空科技成就奖、中国科学院杰出科技成就奖；2004年，获得国务院政府津贴。

人物经历

早年经历

1964年4月，刘明出生于丰城市，籍贯安徽宿州。

教育经历

工作经历

2000年被聘为中国科学院微电子研究所研究员和纳米加工与新器件集成技术研究室主任。

2008年刘明获得国家杰出青年科学基金资助。

2015年7月31日入选中国科学院院士增选初步候选人名单，12月7日当选中国科学院院士。

2018年1月25日出任中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长，同年当选发展中国家科学院院士。

2022年8月11日晚间，中芯国际集成电路制造有限公司在港交所公告，委任刘明院士担任董事会审计委员会成员。

主要成就

科研成就

阐明了阻变存储器机理，建立了相应的物理模型；提出了功能层掺杂和局域电场增强的阻变存储器性能调控方法，提高存储器整体性能；拓展了新型闪存材料和结构体系，提出新的可靠性表征技术、失效模型和物理机理；发展了集成电路的微纳加工技术并拓展到禁运的短波衍射元件研制中。

在国际上首次采用软X射线曝光技术实现了256位分子存储器；在32nm技术节点以下的非挥发性存储器替代方案上，提出了利用金属掺杂的技术手段来提高阻变存储器（RRAM）性能和成品率的方法，成为国际上最早提出此概念的两个小组之一，在渐进型的非挥发性存储器替代方案上，着眼于纳米晶浮栅存储结构（Nano-FloatingGate）。

人物著作

截至2017年7月发表SCI收录论文250多篇，SCI他引超过2800次，6篇论文入选ESI高被引论文榜，两项工作列入2013年ITRS（国际半导体发展路线图）、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。授权发明专利180件（含美国授权专利7件），主要专利转让/许可到多家重要集成电路企业。

•学术交流

截至2017年7月在本领域重要国际会议做邀请报告30多次。

截至2015年12月先后主持参与了多项国家973、863项目。