吴德馨(中国半导体器件和集成电路专家、中科院院士)

吴德馨（1936年12月20日——2026年3月23日），女，出生于河北乐亭县，汉族，中国共产党党员，毕业于清华大学无线电电子工程系，中国科学院院士，半导体器件和集成电路专家，中国科学院微电子研究所研究员，第九届、十届全国人大常委会委员。

1961年，吴德馨从清华大学无线电电子工程系毕业。毕业后，她被分配至中国科学院半导体研究所工作。1986年，她被调入中国科学院微电子中心历任助理研究员、研究员、副主任。1991年，吴德馨担任中国科学院微电子中心第二届主任。同年11月，她当选中国科学院学部委员（院士），期间她领导开发了0.8微米CMOS全套工艺。1992年，吴德馨被中华人民共和国国家科学技术委员会聘为“深亚微米结构器件和介观物理”项目首席科学家。1993至1997年，她担任中国科学院微电子中心第三届主任。1998至2003年，吴德馨先后当选中华人民共和国第九、十届全国人民代表大会常务委员会委员。2026年3月23日13时15分，吴德馨因病医治无效在北京逝世，享年90岁。

吴德馨的研究方向为半导体器件和集成电路。她成功研究出第一代半导体硅双极型、MOS场效应型晶体管和大规模集成电路、第二代砷化镓异质结场效应和双极型晶体管与集成电路以及第三代氮化镓异质结场效应晶体管等。吴德馨先后荣获国家科学技术进步奖二等奖、中国科学院科技进步一等奖、何梁何利基金奖等。

人物生平

早年经历

1936年12月20日，吴德馨生于河北乐亭县一个普通家庭，次年随全家迁至天津市。她早年丧父，在母亲的教养熏陶下，她养成了独立思考、行事果敢的性格。随着年龄的增长，她对数理化产生了兴趣。1955年，她考入清华大学，师从李志坚院士，在读期间曾两次获得学习成绩优良奖状。1961年，她毕业于清华大学无线电电子工程系，成为清华大学第一批半导体专业毕业生。

工作经历

吴德馨清华大学毕业后，她被分配至中国科学院半导体研究所工作，承担“平面型高速开关晶体管”的研制任务。1978年，她入选中国科学院首批访美考察团，赴美国GCA Stepper公司考察。1979年6月，吴德馨加入中国共产党。

1983至1984年，吴德馨先后在美国罗彻斯特大学与康奈尔大学任访问学者，学习国际半导体前沿技术。1986年，她被调入中国科学院微电子中心任副主任、研究员，任职期间她参与了MOS LSI设计与工艺技术研究，负责读出灵敏放大电路和缓冲器的电路和版图的设计。1991年，吴德馨担任中国科学院微电子中心主任。同年11月，她当选中国科学院学部委员（院士）。任职期间，她领导开发了0.8微米CMOS全套工艺。1992年，吴德馨被中华人民共和国国家科学技术委员会聘为“深亚微米结构器件和介观物理”项目首席科学家。1991年1997年,她连续担任了中国科学院微电子中心第二届、第三届主任。1998年起，吴德馨主要从事化合物半导体器件和集成电路的研究。

1998至2003年，吴德馨先后当选中华人民共和国第九、十届全国人民代表大会常务委员会委员。任全国人大常委会委员期间，吴德馨多次向中央领导汇报微电子技术的发展趋势并提出建议，多次参加国家和中国科学院发展规划的制定，多次主持执笔两院院士对国家集成电路发展咨询报告的撰写等工作。

2004年，吴德馨获何梁何利技术科学奖。

因病逝世

2026年3月23日13时15分，吴德馨因病医治无效在北京逝世，享年90岁。

个人生活

吴德馨的丈夫是同为院士的王圩，他们是因为工作认识的，因吴德馨经常去材料组领取硅单晶片，一来二去两人相识相知，1966年，两人结为夫妻。攻关存储器项目时，吴德馨曾连续多日睡在实验室地板上，家中孩子全由丈夫照料。有段时间王圩在日本访学，她独自带着一双儿女驻守109厂验收设备，每天早出晚归，孩子常常在门口台阶上等她到深夜。

日常生活中，吴德馨勤俭随和，还因常亲手缝补、改制家人衣物，被身边人称作“业余裁缝”。她和王圩在家也总讨论技术问题，相提思路、找不足，既是伴侣也是战友。吴德馨到了年纪很大的时候，仍关心芯片产业的发展，关心年轻科研人员成长。

研究方向

吴德馨的研究方向为半导体器件和集成电路。

主要成就

科研成果

吴德馨成功研究出第一代半导体硅双极型、MOS场效应型晶体管和大规模集成电路、第二代砷化镓异质结场效应和双极型晶体管与集成电路以及第三代氮化镓异质结场效应晶体管等，产生了经济和社会效益。

20世纪60年代初，吴德馨作为主要负责人之一，在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广。60年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。

20世纪70年代末，吴德馨研究成功MOS4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究。首先在国内突破了LSI低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。

20世纪80年代末期，吴德馨自主开发成功3微米CMOSLSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化镓异质结高电子迁移率晶体管。

20世纪90年代，吴德馨研究成功0.8微米CMOSLSI工艺技术，和0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件。

人才培养

吴德馨培养了研究生二十余名。为助力中国集成电路领域人才成长，吴德馨捐出个人积蓄，设立“一滴水”优秀研究生荣誉奖学金，每年资助3名中国科学院微电子研究所优秀研究生。其学生分布在世界各地，成为各自岗位的行家里手和单位的骨干力量。其中有中国科学院微电子研究所副所长刘新宇研究员，中国科学院院士、微电子所微电子器件与集成技术重点实验室主任刘明研究员，微电子所高频高压器件与集成研发中心副主任刘洪刚研究员。

主要论著

吴德馨有编著三部、发表论文数十篇。

出版书籍

学术论文

备注：论著为不完全列示

社会职务

社会活动

2010年2月9日，吴德馨应邀出席了中国科学院微电子研究所七室举行“前沿与创新”学术研讨活动，她围绕“微电子学”、“创新与成才”等主题为全室员工作了报告，并对七室未来的发展方向提出了建议，并结合自身的科研经历向大家提出了要求，她鼓励科研人员要热爱本职工作、体会其中的乐趣，要勤于思考、扎扎实实做研究，要有高度的责任心、团队合作和互助精神，要在研究过程中有所突破，有所创新。